还是用四符文定式基础的储能体举例,陶瓷储能体这东西,玉剑山的工艺水平,只能保证颗粒直径在40微米以上时,烧制形变量保持在可接受范围内,50纳米的颗粒,有效颗粒数量才能达到80%以上。所以这项技术用在陶瓷储能体上是浪费的。
它其实是配套最新一代储能体材料的技术,高级材料组最新的储能材料是稀土元素化合物材料,如果从特性分类,类似于磁性金属,这种东西能够做成20纳米大小的异面体,主要是后续不需要加热,能放心录制符文和铭纹。
从本质上讲,化合物储能体和陶瓷颗粒储能体的能量储存率没有区别,两者都是纯粹通过立体阵法“包裹”能量的,材料只是阵法的载体,同时保证不被能量改变性质。这种储存理论和之前没有量产直接淘汰的磁性储能体、玻璃体储能体都不一样。而两者之间,则完全是技术工艺改进,基础颗粒缩小带来的质变。
说起来很复杂,但只要知道结果就行了。
全新的20纳米异面体颗粒化合物储能体,每克灵能容纳率为3!
没错,是3,比灵石还高出2倍,是50纳米颗粒陶瓷储能体的12倍,玻璃体储能体的150倍,是同等重量煤炭燃烧能量的322倍,这还只是试制品,改进工艺提高有效颗粒比例之后,还有40%左右的提升潜力,届时每克容量会超过4!如果工艺精度再进步,铀、钚核弹就可以考虑淘汰了,毕竟符文储能体是可以量产的东西。
煤炭燃烧322倍的能量密度,将会彻底改变航空航天技术的思路,就从闪电04开始。
东西用起来是好,但充能的时候总会让人想死。
“太慢了八!”沈文剑看着一百千克的化合物储能体充能半天,旁边指示灯才涨了三格,而指示灯总共有五十格。
化合物储能体和其他储能体的成品差很多,它外面还有一层密闭结构防止它接触氧气,里面还封着惰性保护气,同时盒子也是它的“充电桩”和指示器。
“很快了啦,改线路前你都没看,一个小时才一格。”刘香湘也在旁边吐槽。
沈文剑摇头,果然这种东西一下突破太多也很麻烦。
假如以后全部普及这种储能体,所有的基层灵能传导线路都要改,而且能量密度太离谱安全考虑也要更多,如果堆积到一定量,估计得放到能防核爆的仓库里大家才能松口气。
所以真用起来也不一定是最先进的好,玻璃体储能体仍然是最适合作为浮空山能量调峰的储能体,能量密度不高不低,和煤炭差不多,稍微有些安全措施出事了也不会造成太大破坏。化合物储能体这种密度高的离谱的玩意,用到移动设备、飞行器上面就可以了。
纳米级异面体三维符文录制技术的实验室成果出现,也刺激了后续一系列变化。
芯片组首先决定全面启用四符文定式作为三代芯片的技术基础。
四符文定式构架的阵法是立体阵法,芯片结构会从一层层的平面堆叠变成立体空间的组合。
层叠式构架的缺陷是很明显的,随着层数增加,工业加工复杂度的提高是指数级的,到一定层数就堆不上去了,硅芯片就是如此,当然现在大学那边的硅芯片还远没到极限。
采用立体构架,设计论证会更复杂,但制造起来反而会变得简单很多。比如二代芯片量产设备,按财务换算一套是四十亿,从材料入场到芯片出厂有三百多道工序。换成立体构架之后,三代芯片的量产设备搞不好就会降到10亿以下,而且工序减少后产能还更大。
如果没有超算,即使有想法也只能流口水,现在工具并不缺,异面体三维符文录制技术要转为其他材料的四符文级别加工技术,缺的也只是时间。